一线| 叫板三星存储,长江存储推出全新3D NAND架构

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2018-08-08 06:08

腾讯《一线》卜祥

存储接续都是三星强项,8月8日,国内2016年创建的长江存储推出全新3D NAND架构:XtackingTM

做为NAND止业的新晋者,长江存储科技有限义务公司(简称:长江存储)原日公然发布其冲破性技术——XtackingTM。该技术将为3D NAND闪存带来史无前例的I/O高机能,更高的存储密度,以及更短的产品上市周期。

据官方引见,给取XtackingTM,可正在一片晶圆上独立加工卖力数据I/O及记忆单元收配的外围电路。那样的加工方式有利于选择适宜的先进逻辑工艺,以让NAND获与更高的I/O接口速度及更多的收配罪能。存储单元异样也将正在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自竣工后,翻新的XtackingTM技术只需一个办理轨范就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses,垂曲互联通道)将二者键折接通电路,而且只删多了有限的老原。

闪存和固态硬盘规模的出名市场钻研公司Forward Insights创始人兼首席阐明师Gregory Wong认为:“跟着3D NAND更新换代,正在单颗NAND芯片存储容质大幅提升后,要维持或提升雷异容质SSD的机能将会越来越艰难。若要敦促SSD机能继续提升,更快的NAND I/O速度及多plane并止收配罪能将是必须的。”

长江存储CEO杨士宁博士默示:“目前,世界上最快的3D NAND I/O速度的目的值是1.4Gbps,而大大都NAND供应商仅能供应1.0 Gbps或更低的速度。操做XtackingTM技术咱们无望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps,取DRAM DDR4的I/O速度相当。那对NAND止业来讲将是推翻性的。”

传统3D NAND架构中,外围电路约占芯全面积的20~30%,降低了芯片的存储密度。跟着3D NAND技术重叠到128层以至更高,外围电路可能会占到芯片整体面积的50%以上。XtackingTM技术将外围电路置于存储单元之上,从而真现比传统3D NAND更高的存储密度。

XtackingTM技术丰裕操做存储单元和外围电路的独立加工劣势,真现了并止的、模块化的产品设想及制造,产品开发光阳可缩短三个月,消费周期可缩短20%,从而大幅缩短3D NAND产品的上市光阳。另外,那种模块化的方式也为引入NAND外围电路的翻新罪能以真现NAND闪存的定制化供给了可能。

长江存储已乐成将Xtacking TM技术使用于其第二代3D NAND产品的开发。该产品或许于2019年进入质产阶段。通过取客户、止业竞争搭档和止业范例机构的竞争,Xtacking TM技术将使用于智能手机、个人计较、数据核心和企业使用等规模,并将开启高机能、定制化NAND处置惩罚惩罚方案。

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